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中科院博士生导师宋志棠教授来我院做报告

2013年11月17日下午,中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室主任宋志棠老师来到数理学院,进行了一场以“钠电子材料与器件”为主题的物理研究讲座,院党总支书记朱小芹老师、副院长刘峰老师以及数理学院部分专业老师出席本次讲座,会议由数理学院党总支书记朱小芹主持。

宋老师以PPT和黑板演示相结合的形式向老师们讲解了有关集成电路、纳米新材料、曝光技术、新型存储器技术等知识,同时介绍了PCRAM和MRAM的发展现状以及PCRAM的研究热点,并向大家展示了新型相变材料、纳米过渡层和工艺二极管等新型科研成果。随着时代的发展,新型材料与科技已步入现代人们的生活,宋老师的讲座向在座青年教师们展示了新一代科技的成果,起到很好的现实教育意义。

相变存储器具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、存储密度高、读取速度快等优点,是Intel 和Samsung 等公司所极力推崇的新型半导体存储器,被认为是最有可能取代目前Flash、Dram和Sram等而成为下一代的半导体主流存储器。报告主要介绍国内外半导体存储技术的研发现状以及其领导的课题组在纳米相变存储技术方面取得的突破性进展,介绍相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题。同时介绍开展产学研合作方面的经验和体会。

 

 

 

主讲人:宋志棠,男,中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长助理, 博士生导师,上海市政协委员,信息功能材料国家重点实验室主任,国家重大专项和973项目首席科学家。上海市纳电子材料与器件优秀学科带头人,国内PCRAM材料与器件研究的开创者。主要研究成果:承担国家极大规模集成电路制造装备及成套工艺重大专项“45nm相变存储器工程化关键技术与应用”(5.3亿)与“亚90纳米IC工艺新型CMP抛光材料及相关技术研究”,承担国家基础科学研究计划(973)项目“半导体相变存储器”、“相变存储器规模制造技术关键基础问题研究”与“基于纳米结构的相变机理及嵌入式PCRAM应用基础研究”,同时承担国家863、中科院先导、国际重大合作以及上海市重大等项目50余项。申请发明专利400多项(授权100余项),在APL、Nature Mat.,Nano Lett.等国际著名刊物上发表相关研究论文300多篇,被引用达600多次,撰写《相变存储器》和《相变存储器与应用基础》专著两本。作为大会主席成功举办第十一届IEEE NVMTS国际会议,2012信息存储国际研讨会/第九届国际光储存研讨会,增强了我国在非挥发存储技术领域的国际影响力。组建了上海新储集成电路有限公司和上海新安纳电子材料有限公司,进一步推动PCRAM芯片与IC磨料、抛光液的产业化。主要获奖情况:曾获国家科技进步一等奖、上海市科技进步一等奖和中科院杰出科技成就奖,国务院特殊津贴,新世纪百千万人才工程国家级人选,上海市领军人才,上海市青年科技启明星称号、上海市优秀博士后,上海新泰个人优秀奖,中国科学院优秀指导教师等多项荣誉。